相较于第一和第二代半导体，第三代半导体采用氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、金刚石（C）、氮化铝（AlN）等新兴半导体材料。利用更好的化合物带来更佳的性能优势，耐高压、耐高温、大功率、抗辐射的特性，随之带来更强的导电性能、更快的工作速度、更低的工作损耗。与传统半导体材料相比，第三代半导体材料足以构建远超现有产品的性能。且第三代半导体宽泛隶属于后摩尔定律概念，对制程和设备的要求相对不高，难点更在于第三代半导体材料的制备和应用端设计上。

对中国而言第三代半导体属于势在必得的未来科学层面，既源于中国半导体需求在国际上目前面临围追堵截的现状，也是对第三代半导体所代表的尖端科技风向把握。在第三代半导体领域中，尚未有企业或国家能完全取得占据主导地位。中国作为全球最大的金属镓储量国，近年来对第三代半导体行业持续加大资本投入与技术创新力度，力求借助第三代半导体新兴机遇，完成突破半导体技术封锁，实现国产半导体行业质的飞跃。

随着我国新基建、5G通信、新能源、航空航天等领域的进程稳步向前，半导体新材料的使用量也将进入一段全新的爆发增长期。相对应的是在刚刚通过的十四五规划中，明确提出对碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料科学的重视。进入国家级规划视野，意味着获取来自更高一级层面的大力扶持，对于第三代半导体产业只会是如虎添翼。正因如此，盛世华为始终对半导体行业的前景抱有强烈信心和期待。

（图源：苏州工业园区科技招商中心）

2021年三月，初春时节，万物更新。春风得意的姑苏城又迎来一项重磅机遇，科技部正式批复支持“国家第三代半导体技术创新中心”落户苏州工业园区。“国之重器”的眷顾令苏州与高端半导体产业又多一重羁绊。“国家第三代半导体技术创新中心”将聚焦第三代半导体关键核心技术和重大应用突破，统筹全国优势力量实现源头技术供给，推动我国第三代半导体产业创新能力整体跃升。对于苏州的半导体行业而言，无疑是更甚以往的飞跃式机遇。由盛世华为负责的重点项目材料科学姑苏实验室揭牌成立并入选首批江苏省实验室，也代表着苏州第三代半导体产业创新策源能力的进一步提高。

得益于苏州第三代半导体产业上下游集聚的有利趋势，盛世华为立足半导体行业前沿，对半导体行业风云变革的产业格局展现敏锐感知和战略思考。在半导体领域长久的耕耘下积聚相当的实战经验，尤其半导体行业必需的工艺介质供应系统，盛世华为已实现多年布局，更曾先后服务于多家国内领先的光电通信芯片企业，针对性突破半导体芯片企业面临的实验室和生产过程中的硬性制约。例如应对度亘激光项目中芯片装配需要，实现了万级+千级的无尘净化标准，对特殊气体（氮气、氩气、氦气）的施工应用解决方案。为贴合移远通信项目中为通讯模块的严格生产需求，采用温湿度精准控制系统，防静电地面铺设。遵循严格的工艺流程为旭创科技项目光通讯模块的生产制造合格有利的条件。

（盛世华为净化车间项目展示）

（盛世华为净化车间项目展示）

盛世华为在半导体领域的提前布局，展现了企业领导者高瞻远瞩的决策视角，为盛世华为入局如火如荼的第三代半导体行业预先铺就道路。基于苏州对第三代半导体行业始终热诚的支持态度，可预见到更多的半导体产业前沿科技企业将选择在苏州这片热土扎根。盛世华为将围绕制程关键系统综合解决方案的领域优势，为中国国产半导体行业的崛起创造更有利的环境支撑。

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